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刻蝕：

在半導體芯片制程中，刻蝕無疑是整個芯片制程非常關鍵的工藝控制點，干法刻蝕、光阻去除等工藝，通常伴隨著等離子體增強的高溫及化學腐蝕影響，一般材料很難滿足這種苛刻的使用要求，Honseal產(chǎn)品具備優(yōu)異的耐化學特性、耐高溫、低析出、低金屬離子污染等突出性能，被廣泛使用在最先進的半導體芯片制程設備中。

濕制程：

半導體濕制程工藝介質(zhì)種類繁多，應用狀況復雜，同時需要兼顧到成本的考慮弘芯氟醚能提供用于耐廣泛化學介質(zhì)侵蝕要求的各類靜態(tài)、動態(tài)及復合應用的產(chǎn)品，使用在濕法刻蝕、CMP、勻膠顯影等不同工藝中。

薄膜沉積、熱制程：

Honseal產(chǎn)品具有優(yōu)異的耐溫特性，無論是HDPCVD、PECVD、PVD還是在LPCVD、氧化、擴散、RTP等高溫制程工藝中，能夠保持低釋氣率，滿足客戶對于高溫橡膠材料的使用要求。