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刻蝕：
在半導(dǎo)體芯片制程中，刻蝕無疑是整個(gè)芯片制程非常關(guān)鍵的工藝控制點(diǎn)，干法刻蝕、光阻去除等工藝，通常伴隨著等離子體增強(qiáng)的高溫及化學(xué)腐蝕影響，一般材料很難滿足這種苛刻的使用要求，Honseal產(chǎn)品具備優(yōu)異的耐化學(xué)特性、耐高溫、低析出、低金屬離子污染等突出性能，被廣泛使用在最先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片制程設(shè)備中。
濕制程：
半導(dǎo)體濕制程工藝介質(zhì)種類繁多，應(yīng)用狀況復(fù)雜，同時(shí)需要兼顧到成本的考慮弘芯氟醚能提供用于耐廣泛化學(xué)介質(zhì)侵蝕要求的各類靜態(tài)、動(dòng)態(tài)及復(fù)合應(yīng)用的產(chǎn)品，使用在濕法刻蝕、CMP、勻膠顯影等不同工藝中。
薄膜沉積、熱制程：
Honseal產(chǎn)品具有優(yōu)異的耐溫特性，無論是HDPCVD、PECVD、PVD還是在LPCVD、氧化、擴(kuò)散、RTP等高溫制程工藝中，能夠保持低釋氣率，滿足客戶對于高溫橡膠材料的使用要求。
